DRAM
ডির্যাম
Dynamic RAM — মাত্র ১ transistor + ১ capacitor প্রতি bit, খুব ঘন ও সস্তা, কিন্তু capacitor charge leak করে বলে প্রতি ~৬৪ms-এ প্রতিটা cell রিফ্রেশ করতে হয়।
Bit-এর মান capacitor-এ charge/no-charge হিসেবে রাখা হয় — [[sram]]-এর ৬ transistor-এর তুলনায় মাত্র ১ transistor, তাই একই এলাকায় বহুগুণ বেশি bit ধরে, প্রধান কারণ কেন DRAM-ই main memory-র পছন্দ।
Refresh-এর অনিবার্যতা: capacitor সময়ের সাথে charge হারায় (leakage) — তাই প্রতিটা cell নিয়মিত পড়ে আবার লেখা হয় (refresh), প্রতি সারিতে প্রায় প্রতি ৬৪ms-এ একবার — একটা চলমান, ব্যাকগ্রাউন্ড খরচ যা SRAM-এ নেই।
Memory array row decoder + column mux দিয়ে address হয় — একটা
address দুই ভাগে ভাঙা হয় (row, column), ঠিক digital-logic/multiplexers-and-decoders
লেসনের decoder/MUX-এর সরাসরি প্রয়োগ।